Infineon Technologies IRLR120N MOSFET 1 N-Kanal 48 W TO-263-3
Das IRLR120N ist ein leistungsfähiges N-Kanal-MOSFET von Infineon Technologies, das in einem kompakten TO-263-3-Gehäuse verfügbar ist. Mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 100 V und einem maximalen Drain-Strom von 10 A bei 25°C bietet es eine hohe Leistung von 48 W. Das MOSFET zeichnet sich durch einen niedrigen Widerstand von 0.185 Ω und eine hohe Zuverlässigkeit aus, was es ideal für Anwendungen macht, die hohe Effizienz und Zuverlässigkeit erfordern.ㅤ
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