Das IXYS IXFP7N100P ist ein leistungsfähiges N-Kanal-MOSFET, das sich durch seine hohe Drain-Source-Spannung von 1000 V und seinen kontinuierlichen Drain-Strom von 7 A auszeichnet. Es ist in einem TO-220AB-Gehäuse verpackt und bietet eine maximale Leistung von 300 W. Das MOSFET eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen, die hohe Leistung und Zuverlässigkeit erfordern. Es ist RoHS-konform und wird von IXYS hergestellt.ㅤ
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